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院士工作站:低功耗智能微纳集成系统部
发布日期:2018-12-25

中心概况

低功耗智能微纳集成系统中心基于长期工作积累,围绕集成电路发展中的功耗瓶颈问题,以根本性的工作原理和器件结构为突破口,进行新型器件、电路及其微纳集成系统方面的相关研究,为超低功耗电路系统发展提供了新思路和解决途径。中心相关系列成果在数届国际电子器件会议(IEDM)上发表,并被列入国际半导体技术路线指南(ITRS),相关技术已转移到中芯国际集成电路制造企业,在中芯国际生产线上推进研发,以期为我国有自主常识产权的超低功耗集成电路技术发展奠定重要基础。

科研团队

主要研究项目

基于新型超陡摆幅器件的极低功耗微控制器芯片

项目团队研制的新型超陡摆幅器件,突破了传统CMOS器件60mV/dec的亚阈摆幅极限,获得了比传统CMOS器件低2个量级以上的关态电流性能,因此具备优越的低静态功耗性能;基于标准CMOS工艺制备的该器件具有29mV/decade的亚阈值摆幅,是目前硅基隧穿晶体管国际报道的最低值。基于研制的新型超陡摆幅器件,项目团队进行了面向物联网应用极低功耗微控制器芯片的研究,提出了事件驱动型微控制器芯片架构,静态功耗显著优于传统CMOS微控制器芯片,从而解决了物联网节点对极低功耗的迫切需求,在物联网应用领域具有广泛的应用前景。

 

 

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